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FDN86501LZ
MOSFET, N-CH, 60V, 2.6A, 150DEG C, 1.5W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN86501LZ
Code Commande54AH8648
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
2 924 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,710 $ |
| 10+ | 1,570 $ |
| 25+ | 1,480 $ |
| 50+ | 1,380 $ |
| 100+ | 1,340 $ |
| 250+ | 1,330 $ |
| 500+ | 1,310 $ |
| 1000+ | 1,310 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
8,55 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN86501LZ
Code Commande54AH8648
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.089ohm
On Resistance Rds(on)0.089ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation1.5W
Power Dissipation Pd1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.089ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.089ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN86501LZ
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits