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FDP027N08B-F102
MOSFET, N-CH, 80V, 223A, 175DEG C, 246W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP027N08B-F102
Code Commande54AH6247
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
79 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,510 $ |
| 10+ | 4,830 $ |
| 25+ | 3,740 $ |
| 50+ | 3,660 $ |
| 100+ | 3,560 $ |
| 250+ | 3,550 $ |
| 500+ | 3,270 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,51 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP027N08B-F102
Code Commande54AH6247
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id223A
Drain Source On State Resistance0.00221ohm
On Resistance Rds(on)0.00221ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd246W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation246W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.00221ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
223A
On Resistance Rds(on)
0.00221ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
246W
Power Dissipation
246W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits