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FDP3651U
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.5 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
909 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,870 $ |
| 10+ | 2,300 $ |
| 100+ | 2,140 $ |
| 500+ | 2,060 $ |
| 1600+ | 1,990 $ |
| 3200+ | 1,950 $ |
| 5600+ | 1,920 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,87 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP3651U
Code Commande34M6122
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd255W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
255W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits