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FDS5672
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 60 V, 0.0088 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
472 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,270 $ |
| 10+ | 2,440 $ |
| 25+ | 2,280 $ |
| 50+ | 2,140 $ |
| 100+ | 1,990 $ |
| 250+ | 1,840 $ |
| 500+ | 1,700 $ |
| 1000+ | 1,600 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
16,35 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS5672
Code Commande53Y3195
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
On Resistance Rds(on)0.0088ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.0088ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits