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FDT4N50NZU
MOSFET, N-CH, 500V, 2A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT4N50NZU
Code Commande50AJ3067
Gamme de produitUniFET II Ultra FRFET
Fiche technique
3 693 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,100 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,410 $ |
| 50+ | 1,260 $ |
| 100+ | 1,120 $ |
| 250+ | 1,010 $ |
| 500+ | 0,897 $ |
| 1000+ | 0,830 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,10 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT4N50NZU
Code Commande50AJ3067
Gamme de produitUniFET II Ultra FRFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)2.42ohm
Drain Source On State Resistance2.42ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II Ultra FRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
2.42ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2W
No. of Pins
4Pins
Product Range
UniFET II Ultra FRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
2.42ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits