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FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
500 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,790 $ |
| 10+ | 9,500 $ |
| 25+ | 8,190 $ |
| 50+ | 6,900 $ |
| 100+ | 6,470 $ |
| 250+ | 6,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,79 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGA60N65SMD
Code Commande46AC0815
Fiche technique
DC Collector Current120A
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation600W
Power Dissipation Pd600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
DC Collector Current
120A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.9V
Power Dissipation
600W
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Continuous Collector Current
120A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Power Dissipation Pd
600W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits