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MJD117T4G
TRANSISTOR, PNP, -100V, -2A, TO-252
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368 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,530 $ |
| 10+ | 1,210 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 0,993 $ |
| 100+ | 0,887 $ |
| 250+ | 0,825 $ |
| 500+ | 0,761 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
7,65 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD117T4G
Code Commande50AC6102
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd20W
Transition Frequency25MHz
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation1.75W
DC Collector Current2A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins4Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min200hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Transition Frequency
25MHz
Power Dissipation
1.75W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
20W
Continuous Collector Current
2A
DC Collector Current
2A
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits