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MJD127T4G
TRANSISTOR, PNP, -100V, -8A, TO-252-3
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1 598 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,740 $ |
| 10+ | 1,210 $ |
| 25+ | 1,210 $ |
| 50+ | 1,040 $ |
| 100+ | 0,869 $ |
| 250+ | 0,800 $ |
| 500+ | 0,729 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
8,70 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD127T4G
Code Commande90W4488
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd20W
Transition Frequency4MHz
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE12hFE
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min100hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Transition Frequency
4MHz
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
12hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
20W
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
20W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits