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MJD3055T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL PURPOSE, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 10 RoHS Compliant: Yes
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,611 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 527,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD3055T4G
Code Commande31Y2625
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd1.75W
Power Dissipation1.75W
DC Collector Current10A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE10hFE
No. of Pins4Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation Pd
1.75W
DC Collector Current
10A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
1.75W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
10hFE
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits