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MMBFJ112
JFET Transistor, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23 RoHS Compliant: Yes
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,682 $ |
| 25+ | 0,434 $ |
| 50+ | 0,362 $ |
| 100+ | 0,290 $ |
| 250+ | 0,259 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,189 $ |
| 6000+ | 0,170 $ |
| 12000+ | 0,156 $ |
| 18000+ | 0,148 $ |
| 30000+ | 0,138 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ112
Code Commande31Y2732
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max-35V
Breakdown Voltage Vbr-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Gate Source Cutoff Voltage Max-5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour MMBFJ112
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-5V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Breakdown Voltage Vbr
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit