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MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, JUNCTION FIELD EFFECT, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23 RoHS Compliant: Yes
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ309LT1G
Code Commande58M9122
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Breakdown Voltage Vbr-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min12mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour MMBFJ309LT1G
4 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Vbr
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
12mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits