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NCV57090CDWR2G
GATE DRIVER, IGBT/MOSFET, -40TO125DEG C ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
724 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,270 $ |
| 10+ | 3,560 $ |
| 25+ | 3,200 $ |
| 50+ | 2,900 $ |
| 100+ | 2,590 $ |
| 250+ | 2,300 $ |
| 500+ | 2,190 $ |
| 1000+ | 2,120 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,27 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNCV57090CDWR2G
Code Commande32AJ8407
Fiche technique
No. of Channels1Channels
Gate Driver TypeIsolated
Driver ConfigurationIsolated
Power Switch TypeIGBT, MOSFET
Driver Case StyleWSOIC
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageWSOIC
IC MountingSurface Mount
Input TypeInverting, Non-Inverting
Source Current6.5A
Sink Current6.5A
Supply Voltage Min3.1V
Supply Voltage Max20V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay60ns
Output Delay60ns
Product Range-
QualificationAEC-Q100
Spécifications techniques
No. of Channels
1Channels
Driver Configuration
Isolated
Driver Case Style
WSOIC
IC Case / Package
WSOIC
Input Type
Inverting, Non-Inverting
Sink Current
6.5A
Supply Voltage Max
20V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
60ns
Qualification
AEC-Q100
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Gate Driver Type
Isolated
Power Switch Type
IGBT, MOSFET
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
6.5A
Supply Voltage Min
3.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
60ns
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NCV57090CDWR2G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits