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NTB004N10G
MOSFET, N-CH, 100V, 201A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTB004N10G
Code Commande
Mise en bobine74AH4838
Bandes découpées74AH4838
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,240 $ |
| 10+ | 8,620 $ |
| 25+ | 8,330 $ |
| 50+ | 8,050 $ |
| 100+ | 7,760 $ |
| 250+ | 7,720 $ |
| 500+ | 7,680 $ |
| 1600+ | 7,640 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTB004N10G
Code Commande
Mise en bobine74AH4838
Bandes découpées74AH4838
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id201A
Drain Source On State Resistance3400µohm
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation340W
Power Dissipation Pd340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
201A
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits