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NTBGS004N10G
MOSFET, N-CH, 100V, 203A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBGS004N10G
Code Commande
Mise en bobine50AJ5881
Bandes découpées50AJ5881
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 479 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,530 $ |
| 10+ | 8,360 $ |
| 25+ | 7,800 $ |
| 50+ | 7,230 $ |
| 100+ | 6,680 $ |
| 250+ | 6,470 $ |
| 500+ | 6,260 $ |
| 1600+ | 5,770 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBGS004N10G
Code Commande
Mise en bobine50AJ5881
Bandes découpées50AJ5881
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id203A
Drain Source On State Resistance3000µohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd340W
Power Dissipation340W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
340W
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
203A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits