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NTD250N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 13A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD250N65S3H
Code Commande50AJ5885
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
1 776 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,370 $ |
| 10+ | 4,190 $ |
| 25+ | 3,990 $ |
| 50+ | 3,780 $ |
| 100+ | 3,590 $ |
| 250+ | 3,450 $ |
| 500+ | 3,300 $ |
| 1000+ | 2,960 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,37 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD250N65S3H
Code Commande50AJ5885
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.201ohm
On Resistance Rds(on)0.201ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation106W
Power Dissipation Pd106W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.201ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
106W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.201ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
106W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits