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NTMT064N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 40A, 150DEG C, 260W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT064N65S3H
Code Commande54AH9503
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
2 969 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,230 $ |
| 10+ | 10,010 $ |
| 25+ | 9,810 $ |
| 50+ | 9,610 $ |
| 100+ | 9,410 $ |
| 250+ | 9,390 $ |
| 500+ | 8,250 $ |
| 1000+ | 7,870 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
13,23 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT064N65S3H
Code Commande54AH9503
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
On Resistance Rds(on)0.052ohm
Transistor Case StyleTDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation260W
Power Dissipation Pd260W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Case Style
TDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
260W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET III
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
260W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits