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NTMT125N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TDFN ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT125N65S3H
Code Commande50AJ5901
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,840 $ |
| 10+ | 8,560 $ |
| 25+ | 8,060 $ |
| 50+ | 7,560 $ |
| 100+ | 7,060 $ |
| 250+ | 6,640 $ |
| 500+ | 6,230 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
10,84 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT125N65S3H
Code Commande50AJ5901
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.108ohm
On Resistance Rds(on)0.108ohm
Transistor Case StyleTDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation171W
Power Dissipation Pd171W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.108ohm
Transistor Case Style
TDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
171W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.108ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
171W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits