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NTMT190N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 16A, TDFN ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT190N65S3H
Code Commande50AJ5902
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
3 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,290 $ |
| 10+ | 5,400 $ |
| 25+ | 5,260 $ |
| 50+ | 4,830 $ |
| 100+ | 4,400 $ |
| 250+ | 4,180 $ |
| 500+ | 3,970 $ |
| 1000+ | 3,910 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,29 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT190N65S3H
Code Commande50AJ5902
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.156ohm
On Resistance Rds(on)0.156ohm
Transistor Case StyleTDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation129W
Power Dissipation Pd129W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Case Style
TDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
129W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.156ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
129W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits