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NTS4173PT1G
MOSFET, P-CH, -30V, -1.2A, SOT-323
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTS4173PT1G
Code Commande
Bobine complète86AK5861
Mise en bobine81Y7057
Bandes découpées81Y7057
Votre numéro de pièce
Fiche technique
12 019 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,561 $ |
| 10+ | 0,358 $ |
| 25+ | 0,317 $ |
| 50+ | 0,277 $ |
| 100+ | 0,237 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,166 $ |
| 6000+ | 0,142 $ |
| 12000+ | 0,127 $ |
| 18000+ | 0,120 $ |
| 30000+ | 0,109 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTS4173PT1G
Code Commande
Bobine complète86AK5861
Mise en bobine81Y7057
Bandes découpées81Y7057
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.2A
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd290mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.15V
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
290mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.15V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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