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NTTFS5D9N08HTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 84A, PQFN ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTFS5D9N08HTWG
Code Commande
Mise en bobine74AH4854
Bandes découpées74AH4854
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 788 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,780 $ |
| 10+ | 1,950 $ |
| 25+ | 1,810 $ |
| 50+ | 1,690 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
| 250+ | 1,450 $ |
| 500+ | 1,370 $ |
| 1000+ | 1,330 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTFS5D9N08HTWG
Code Commande
Mise en bobine74AH4854
Bandes découpées74AH4854
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance5900µohm
On Resistance Rds(on)0.0046ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation100W
Power Dissipation Pd100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
5900µohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
On Resistance Rds(on)
0.0046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits