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NVBLS1D7N08H
MOSFET, N-CH, 80V, 241.3A, TOLL ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 190 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,900 $ |
| 10+ | 4,700 $ |
| 25+ | 4,400 $ |
| 50+ | 4,090 $ |
| 100+ | 3,780 $ |
| 250+ | 3,720 $ |
| 500+ | 3,650 $ |
| 1000+ | 3,420 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,90 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS1D7N08H
Code Commande50AJ5924
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id241.3A
On Resistance Rds(on)0.00129ohm
Drain Source On State Resistance0.00129ohm
Transistor Case StyleTO-LL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation237.5W
Power Dissipation Pd237.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.00129ohm
Transistor Case Style
TO-LL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
237.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
241.3A
Drain Source On State Resistance
0.00129ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Power Dissipation Pd
237.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits