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NVBLS4D0N15MC
MOSFET, N-CH, 150V, 187A, H-PSOF ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
427 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 18,490 $ |
| 10+ | 14,100 $ |
| 25+ | 13,630 $ |
| 50+ | 13,150 $ |
| 100+ | 12,680 $ |
| 250+ | 12,630 $ |
| 500+ | 12,550 $ |
| 1000+ | 12,500 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
18,49 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS4D0N15MC
Code Commande82AH7671
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id187A
Drain Source On State Resistance3100µohm
On Resistance Rds(on)0.0031ohm
Transistor Case StyleH-PSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation316W
Power Dissipation Pd316W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
316W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
187A
On Resistance Rds(on)
0.0031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation Pd
316W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVBLS4D0N15MC
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits