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NVHL027N65S3F
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 650V, 75A, 595W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL027N65S3F
Code Commande97AC7890
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Fiche technique
468 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 34,700 $ |
| 10+ | 25,260 $ |
| 25+ | 25,180 $ |
| 50+ | 25,080 $ |
| 100+ | 25,000 $ |
| 250+ | 24,900 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
34,70 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL027N65S3F
Code Commande97AC7890
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id75A
On Resistance Rds(on)0.0215ohm
Drain Source On State Resistance0.0215ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd595W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation595W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III FRFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.0215ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
595W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III FRFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.0215ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
595W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVHL027N65S3F
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits