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NVHL050N65S3HF
MOSFET, N-CH, 650V, 58A, TO-247LL ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL050N65S3HF
Code Commande82AH7672
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
818 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,620 $ |
| 10+ | 10,480 $ |
| 25+ | 10,360 $ |
| 50+ | 10,220 $ |
| 100+ | 9,930 $ |
| 250+ | 9,620 $ |
| 900+ | 9,430 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,62 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL050N65S3HF
Code Commande82AH7672
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id58A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-247LL
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd403W
Power Dissipation403W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247LL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
403W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
403W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits