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NVMFS4C01NT1G
MOSFET, N-CH, 30V, 370A, 175DEG C, 161W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 900 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,720 $ |
| 10+ | 5,160 $ |
| 25+ | 4,760 $ |
| 50+ | 4,340 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,280 $ |
| 3000+ | 4,030 $ |
| 6000+ | 3,820 $ |
| 12000+ | 3,440 $ |
| 18000+ | 3,310 $ |
| 30000+ | 3,180 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS4C01NT1G
Code Commande54AH9525
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id370A
Drain Source On State Resistance670µohm
On Resistance Rds(on)560µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd161W
Power Dissipation161W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
670µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
161W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
370A
On Resistance Rds(on)
560µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
161W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVMFS4C01NT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits