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NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET, N-CH, 40V, 78A, 175DEG C, 50W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5C460NLAFT1G
Code Commande
Mise en bobine54AH9532
Bandes découpées54AH9532
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 059 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,940 $ |
| 10+ | 1,450 $ |
| 25+ | 1,390 $ |
| 50+ | 1,350 $ |
| 100+ | 1,290 $ |
| 250+ | 1,210 $ |
| 500+ | 1,140 $ |
| 1000+ | 1,120 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5C460NLAFT1G
Code Commande
Mise en bobine54AH9532
Bandes découpées54AH9532
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id78A
Drain Source On State Resistance0.0045ohm
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation50W
Power Dissipation Pd50W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0045ohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
50W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVMFS5C460NLAFT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits