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NVMFS6H864NT1G
MOSFET, N-CH, 80V, 21A, 175DEG C, 33W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 428 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,410 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,400 $ |
| 50+ | 1,250 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,926 $ |
| 1000+ | 0,895 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,41 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS6H864NT1G
Code Commande84AC7302
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.0269ohm
Drain Source On State Resistance0.0269ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd33W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation33W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0269ohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.0269ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
33W
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits