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NVMTS0D7N04CTXG
MOSFET, N-CH, 40V, 430A, 175DEG C, 273W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 360 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,430 $ |
| 10+ | 10,040 $ |
| 25+ | 9,580 $ |
| 50+ | 9,050 $ |
| 100+ | 8,520 $ |
| 250+ | 8,430 $ |
| 500+ | 8,160 $ |
| 1000+ | 7,530 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
12,43 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMTS0D7N04CTXG
Code Commande84AC7306
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id430A
On Resistance Rds(on)570µohm
Drain Source On State Resistance670µohm
Transistor Case StyleDFNW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd273W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation273W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
570µohm
Transistor Case Style
DFNW
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
430A
Drain Source On State Resistance
670µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
273W
Power Dissipation
273W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits