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NXH100B120H3Q0PTG
IGBT MOD, DUAL N-CH, 1.2KV, 50A, 186W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH100B120H3Q0PTG
Code Commande41AH2123
Gamme de produitNXH100B120H3Q0
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 91,880 $ |
| 5+ | 81,560 $ |
| 10+ | 71,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
91,88 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH100B120H3Q0PTG
Code Commande41AH2123
Gamme de produitNXH100B120H3Q0
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation Pd186W
Power Dissipation186W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation
186W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits