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SI4435DY
TRANSISTOR, MOSFET
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9 745 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,880 $ |
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Minimum: 5
Multiple: 5
9,40 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSI4435DY
Code Commande27W2091
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.8A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.5W
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits