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1 774 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,910 $ |
10+ | 2,410 $ |
100+ | 1,600 $ |
500+ | 1,440 $ |
1000+ | 1,300 $ |
2500+ | 1,280 $ |
10000+ | 1,260 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,91 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTIP102G
Code Commande38K8288
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Transition Frequency-
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation Pd80W
Power Dissipation80W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
80W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
200hFE
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
100V
Transition Frequency
-
Power Dissipation Pd
80W
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits