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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant1N5819G
Code Commande42K2947
Fiche technique
Repetitive Peak Reverse Voltage40V
Average Forward Current1A
Diode ConfigurationSingle
Diode Case StyleDO-204AL
No. of Pins2Pins
Forward Voltage Max600mV
Forward Surge Current25A
Operating Temperature Max125°C
Diode MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The 1N5819G is an axial-leaded Schottky Barrier Rectifier with an epoxy molded case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal lead is readily solderable finish. This series employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifier in low-voltage, high-frequency inverter and freewheeling diodes.
- Cathode indicated by polarity band
- Extremely low forward voltage
- Low stored charge and majority carrier conduction
- Low power loss and high efficiency
- 48V Non-repetitive peak reverse voltage
- 28V RMS reverse voltage
- 80°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
Applications
Power Management, Safety
Spécifications techniques
Repetitive Peak Reverse Voltage
40V
Diode Configuration
Single
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
25A
Diode Mounting
Through Hole
Qualification
-
Average Forward Current
1A
Diode Case Style
DO-204AL
Forward Voltage Max
600mV
Operating Temperature Max
125°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 1N5819G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits