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2N5551
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N5551
Code Commande98K6258
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo160V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation1.5W
Power Dissipation Pd625mW
DC Collector Current600mA
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE80hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The 2N5551 is a through hole, NPN general purpose amplifier in TO-92 package. This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
- Collector to emitter breakdown voltage of 160V
- Collector to emitter saturation voltage of 200mV at 50mA collector current
- Power dissipation of 625mW
- DC collector current of 600mA
- DC current gain of 30 at Ic=50mA
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
160V
Power Dissipation
1.5W
DC Collector Current
600mA
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
160V
Continuous Collector Current
600mA
Power Dissipation Pd
625mW
Transistor Case Style
TO-92
DC Current Gain hFE
80hFE
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit