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2N6517TA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N6517TA
Code Commande
Bobine complète83C3460
Mise en bobine31Y5848
Bandes découpées31Y5848
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,499 $ | 0,50 $ |
| Total Prix | 0,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,499 $ |
| 10+ | 0,319 $ |
| 25+ | 0,283 $ |
| 50+ | 0,246 $ |
| 100+ | 0,210 $ |
| 250+ | 0,187 $ |
| 500+ | 0,163 $ |
| 1000+ | 0,144 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,103 $ |
| 10000+ | 0,099 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N6517TA
Code Commande
Bobine complète83C3460
Mise en bobine31Y5848
Bandes découpées31Y5848
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo400V
Collector Emitter Voltage Max350V
Continuous Collector Current500mA
DC Collector Current500mA
Power Dissipation Pd625mW
Power Dissipation625mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE20hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min20hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
350V
DC Collector Current
500mA
Power Dissipation
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
20hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
400V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation Pd
625mW
Transistor Case Style
TO-92
DC Current Gain hFE
20hFE
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit