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2N7000
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | 2N7000Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
| Code Commande | 58K9650 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
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| 2500+ | 0,324 $ |
| 10000+ | 0,317 $ |
| 25000+ | 0,311 $ |
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | 2N7000Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
| Code Commande | 58K9650 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Continuous Drain Current Id | 200mA |
| Drain Source On State Resistance | 5ohm |
| Transistor Case Style | TO-92 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.1V |
| Power Dissipation | 400mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The 2N7000 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed current up to 2A. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
Spécifications techniques
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 200mA |
| Transistor Case Style | TO-92 |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation | 400mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 5ohm |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.1V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |