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Quantité | Prix |
---|---|
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25+ | 0,143 $ |
50+ | 0,143 $ |
100+ | 0,143 $ |
250+ | 0,143 $ |
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1000+ | 0,131 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002DW
Code Commande05R0387
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel115mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
115mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002DW
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits