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2N7002ET1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 250+ | 0,074 $ |
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| 1000+ | 0,070 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002ET1G
Code Commande09R9861
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id310mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd420mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation420mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.
- 1.2A Pulsed drain current
- ±20V Gate-source voltage
- Halogen-free
Applications
Industrial, Consumer Electronics
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
420mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
310mA
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits