Imprimer la page
2N7002K
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002K
Code Commande
Bobine complète86AK6734
Mise en bobine31Y5852
Bandes découpées31Y5852
Votre numéro de pièce
Fiche technique
87 189 En Stock
1 730 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
329 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
83860 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,455 $ |
| 10+ | 0,288 $ |
| 25+ | 0,255 $ |
| 50+ | 0,221 $ |
| 100+ | 0,188 $ |
| 250+ | 0,167 $ |
| 500+ | 0,145 $ |
| 1000+ | 0,131 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,109 $ |
| 6000+ | 0,105 $ |
| 12000+ | 0,100 $ |
| 18000+ | 0,095 $ |
| 30000+ | 0,089 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002K
Code Commande
Bobine complète86AK6734
Mise en bobine31Y5852
Bandes découpées31Y5852
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300mA
On Resistance Rds(on)2ohm
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd350mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002K is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor features low on resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance and fast switching speed.
- Low input/output leakage
- ±20V Gate-source voltage
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 2N7002K
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit