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2N7002LT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 50+ | 0,219 $ |
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| 250+ | 0,127 $ |
| 500+ | 0,109 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002LT1G
Code Commande39K1536
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd200mW
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The 2N7002LT1G is a 60V N-channel small signal MOSFET capable of 300mW power dissipation and 115mA continuous drain current.
- Halogen-free/BFR-free
- ?20VDC sate to source voltage
- 60VDC Drain to gate voltage
- 417?C/W Thermal resistance, junction to ambient
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
200mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit