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2N7002LT3G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10000+ | 0,049 $ |
| 20000+ | 0,043 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 10000
Multiple: 10000
490,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002LT3G
Code Commande98H1012
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The 2N7002LT3G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and ±115mA continuous drain current.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit