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2SK2394-6-TB-E
JFET Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2SK2394-6-TB-E
Code Commande
Bobine complète65T2535
Mise en bobine54AH9770
Bandes découpées54AH9770
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Fiche technique
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,140 $ |
| 10+ | 0,822 $ |
| 25+ | 0,738 $ |
| 50+ | 0,656 $ |
| 100+ | 0,573 $ |
| 250+ | 0,519 $ |
| 500+ | 0,465 $ |
| 1000+ | 0,429 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,399 $ |
| 6000+ | 0,376 $ |
| 12000+ | 0,358 $ |
| 18000+ | 0,340 $ |
| 30000+ | 0,328 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2SK2394-6-TB-E
Code Commande
Bobine complète65T2535
Mise en bobine54AH9770
Bandes découpées54AH9770
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr15V
Gate Source Breakdown Voltage Max15V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min10mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
15V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
10mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Source Breakdown Voltage Max
15V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour 2SK2394-6-TB-E
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit