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BC547CBU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Through Hole
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC547CBU
Code Commande31Y0479
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
Transistor Case StyleTO-92
DC Collector Current100mA
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE420hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min420hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BC547CBU is a NPN epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
- Complement to BC557
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Case Style
TO-92
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
420hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation
500mW
DC Collector Current
100mA
DC Current Gain hFE
420hFE
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit