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BC547CBU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Through Hole
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC547CBU
Code Commande31Y0479
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
DC Collector Current100mA
Transistor Case StyleTO-92
DC Current Gain hFE420hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min420hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BC547CBU is a NPN epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
- Complement to BC557
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Power Dissipation
500mW
DC Collector Current
100mA
DC Current Gain hFE
420hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
420hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
45V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Case Style
TO-92
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit