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BC556BTF
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
15 635 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,385 $ |
| 10+ | 0,249 $ |
| 25+ | 0,221 $ |
| 50+ | 0,192 $ |
| 100+ | 0,164 $ |
| 250+ | 0,146 $ |
| 500+ | 0,127 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,92 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC556BTF
Code Commande31Y0491
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo65V
Collector Emitter Voltage Max65V
DC Collector Current100mA
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE200hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency150MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BC556BTF is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.
- High voltage VCEO
- Complement to BC546
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
65V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation
500mW
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
65V
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Case Style
TO-92
DC Current Gain hFE
200hFE
Transition Frequency
150MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BC556BTF
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits