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7 238 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,850 $ |
| 10+ | 0,531 $ |
| 25+ | 0,477 $ |
| 50+ | 0,422 $ |
| 100+ | 0,367 $ |
| 250+ | 0,330 $ |
| 500+ | 0,292 $ |
| 1000+ | 0,267 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,226 $ |
| 4000+ | 0,214 $ |
| 8000+ | 0,210 $ |
| 12000+ | 0,206 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC63916-D27Z
Code Commande31Y0502
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation830mW
Power Dissipation Pd830mW
DC Collector Current1A
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE25hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BC63916_D27Z is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use in switching and amplifier applications.
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation
830mW
DC Collector Current
1A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
830mW
Transistor Case Style
TO-92
DC Current Gain hFE
25hFE
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BC63916-D27Z
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits