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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC817-40LT1G
Code Commande84K8723
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo45V
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current500mA
DC Current Gain hFE600hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min600hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BC817-40LT1G is a 45V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.
- Halogen-free/BFR-free
- 50V Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Applications
Industrial, Power Management, Safety
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
500mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
600hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
45V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation Pd
225mW
DC Current Gain hFE
600hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC817-40LT1G
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits