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BC847BPDXV6T1G
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC847BPDXV6T1G
Code Commande41K9605
Fiche technique
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN500mW
Transistor Case StyleSOT-563
Power Dissipation PNP500mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Transistor Case Style
SOT-563
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
500mW
Power Dissipation PNP
500mW
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
6Pins
Transition Frequency NPN
100MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit