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BC856BDW1T3G
Bipolar Transistor Array, PNP
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC856BDW1T3G
Code Commande71J3401
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max65V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation380mW
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSC-70
DC Current Gain hFE Min290hFE
No. of Pins3Pins
Qualification-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
290hFE
Qualification
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max
65V
Power Dissipation
380mW
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC856BDW1T3G
3 produit(s) trouvé(s)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit