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BC858BLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12000+ | 0,024 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 21000
Multiple: 3000
504,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC858BLT1G
Code Commande45J0608
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current100mA
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The BC858BLT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Applications
Industrial, Power Management, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
30V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
225mW
DC Current Gain hFE
100hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit