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BC858CDXV6T1G
Bipolar Transistor Array, PNP
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,066 $ |
| 12000+ | 0,059 $ |
| 18000+ | 0,056 $ |
| 30000+ | 0,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 8000
Multiple: 4000
528,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC858CDXV6T1G
Code Commande41K9614
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation357mW
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-563
DC Current Gain hFE Min520hFE
No. of Pins6Pins
Qualification-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
520hFE
Qualification
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
357mW
Transistor Case Style
SOT-563
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit