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BC858CLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC858CLT1G
Code Commande
Bobine complète85W3127
Mise en bobine72T0933
Bandes découpées72T0933
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 940 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,174 $ |
| 10+ | 0,113 $ |
| 25+ | 0,099 $ |
| 50+ | 0,085 $ |
| 100+ | 0,071 $ |
| 250+ | 0,063 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12000+ | 0,027 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC858CLT1G
Code Commande
Bobine complète85W3127
Mise en bobine72T0933
Bandes découpées72T0933
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current100mA
DC Collector Current100mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE100hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min420hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
420hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
100mA
Power Dissipation
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE
100hFE
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit